TPH3208LD
| 工場モデル | TPH3208LD |
|---|---|
| メーカー | Transphorm |
| 詳細な説明 | GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN |
| パッケージ | 4-PQFN (8x8) |
| 株式 | 5448 pcs |
| データシート | Mult Devices EOL 02/Apr/2018TPH3208L SeriesMult Dev 03/Feb/2020 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのTransphormシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5448のTransphorm TPH3208LDの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.6V @ 300µA |
| Vgs（最大） | ±18V |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-PQFN (8x8) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 130mOhm @ 13A, 8V |
| 電力消費（最大） | 96W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 4-PowerDFN |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 760 pF @ 400 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14 nC @ 8 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc) |
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