G5S12005H
| 工場モデル | G5S12005H |
|---|---|
| メーカー | Global Power Technology Co. Ltd |
| 詳細な説明 | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI |
| パッケージ | TO-220F |
| 株式 | 5995 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.7 V @ 5 A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1200 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220F |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns |
| パッケージ/ケース | TO-220-2 Full Pack |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
| 装着タイプ | Through Hole |
| ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 50 µA @ 1200 V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 13.5A (DC) |
| Vrと、F @キャパシタンス | 424pF @ 0V, 1MHz |
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