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Global Power Technology-GPT

G5S06508DT

工場モデル G5S06508DT
メーカー Global Power Technology-GPT
詳細な説明 DIODE SIL CARBIDE 650V 32A TO263
パッケージ TO-263
株式 24302 pcs
データシート G5S06508DT
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10
$2.113 $1.898
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGlobal Power Technology-GPTシリーズの電子コンポーネントを専門としています。24302のGlobal Power Technology-GPT G5S06508DTの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 1.5 V @ 8 A
電圧 - 逆（VR）（最大） 650 V
技術 SiC (Silicon Carbide) Schottky
サプライヤデバイスパッケージ TO-263
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ -
逆回復時間（trrの） 0 ns
製品属性 属性値
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Cut Tape (CT)
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 175°C
装着タイプ Surface Mount
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 50 µA @ 650 V
電流 - 平均整流（イオ​​） 32A
Vrと、F @キャパシタンス 550pF @ 0V, 1MHz

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