G5S12016B
| 工場モデル | G5S12016B |
|---|---|
| メーカー | Global Power Technology-GPT |
| 詳細な説明 | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 16A 3-P |
| パッケージ | TO-247AB |
| 株式 | 9926 pcs |
| データシート | G5S12016B |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 |
|---|---|
| $5.161 | $4.743 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGlobal Power Technology-GPTシリーズの電子コンポーネントを専門としています。9926のGlobal Power Technology-GPT G5S12016Bの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.7 V @ 8 A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1200 V |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AB |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| シリーズ | - |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| パッケージ | Cut Tape (CT) |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
| 装着タイプ | Through Hole |
| ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 50 µA @ 1200 V |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 27.9A (DC) |
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