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SemiQ

SemiQ

- 2007年に設立されたGlobal Power Technologies Group、Inc.(以下「GPTG」)は、SiC(Silicon Carbide)技術に基づく製品に特化した統合開発および製造会社です。これらの製品は、低コストで高効率の発電、変換および伝送に高度な技術が必要とされる将来のパワーエレクトロニクスおよびエネルギー産業の基盤となるでしょう。

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  • メーカー:SemiQ
  • 説明:DIODE SIL CARB 1.2KV 57A TO220AC
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  • メーカー:SemiQ
  • 説明:MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK
  • 株式:6116
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  • モデル:GP1M003A050PG
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
  • 株式:6283
  • モデル:G3S06510P
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:DIODE SIC 650V 32.8A TO247AC
  • 株式:12634
  • モデル:GP3D010A120C
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:DIODE SILICON CARBIDE
  • 株式:6116
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  • モデル:GP2M005A060PGH
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK
  • 株式:4236
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  • モデル:GSXF030A120S1-D3
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:DIODE FAST REC 1200V 30A SOT227
  • 株式:6022
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  • モデル:GP2M020A050N
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN
  • 株式:4336
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  • モデル:GSXD100A004S1-D3
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:DIODE SCHOTTKY 45V 100A SOT227
  • 株式:3326
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  • モデル:GP1M008A080H
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:MOSFET N-CH 800V 8A TO220
  • 株式:4667
  • モデル:GPA060A060MN-FD
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:IGBT 600V 120A 347W TO3PN
  • 株式:6606
  • モデル:GP3D012A065A
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
  • 株式:27074
  • モデル:G3S06505C
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:DIODE SIL CARB 650V 22.6A TO252
  • 株式:29202
  • モデル:GP3D012A065B
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2
  • 株式:50065
  • モデル:G3S06508H
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:DIODE SIL CARB 650V 14A TO220F
  • 株式:26857
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  • モデル:GSXD030A008S1-D3
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:DIODE SCHOTTKY 80V 30A SOT227
  • 株式:3144
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  • モデル:GHXS050B120S-D3
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:SIC SBD PARALLEL POWER MODULE 12
  • 株式:2750
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  • モデル:GSXF100A100S1-D3
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:DIODE FAST REC 1000V 100A SOT227
  • 株式:3294
  • モデル:GP2D020A065U
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
  • 株式:6537
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  • モデル:GHXS050A170S-D3
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:1700V 50A SIC SBD PARALLEL
  • 株式:525
  • モデル:G5S06510QT
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:DIODE SIL CARBIDE 650V 53A 4DFN
  • 株式:14770
  • モデル:GP2D010A065A
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
  • 株式:4957
  • モデル:GP3D020A120B
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2
  • 株式:10614
  • モデル:G5S12020PM
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:DIODE SIL CARB 1.2KV 62A TO247AC
  • 株式:6407
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  • モデル:GHXS015A120S-D3
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
  • 株式:3011
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  • モデル:GSXD120A004S1-D3
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:DIODE SCHOTTKY 45V 120A SOT227
  • 株式:2797
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  • モデル:GP2M020A050F
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
  • 株式:3857
  • モデル:G3S06506D
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:DIODE SIL CARB 650V 22.5A TO263
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  • モデル:GCMS040A120S1-E1
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C
  • 株式:1406
  • モデル:G5S12005C
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:DIODE SIC 1.2KV 20.95A TO252
  • 株式:17660
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  • モデル:GSXF120A040S1-D3
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:DIODE FAST REC 400V 120A SOT227
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  • モデル:GP1M009A090N
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN
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  • モデル:GHXS060B120S-D3
  • メーカー:SemiQ
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  • モデル:GP1M010A080FH
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  • モデル:GP2D010A060A
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  • モデル:GP1M003A050HG
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220
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  • モデル:GSXD100A020S1-D3
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  • モデル:GSXF030A100S1-D3
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:DIODE FAST REC 1000V 30A SOT227
  • 株式:6277
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  • モデル:GHXS030A120S-D3
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
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  • モデル:G5S06510DT
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:DIODE SIL CARBIDE 650V 38A TO263
  • 株式:22123
GHXS100B065S-D3 Image
  • モデル:GHXS100B065S-D3
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:SIC SBD PARALLEL POWER MODULE 65
  • 株式:2393
  • モデル:GP3D010A065D
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
  • 株式:51408
  • モデル:G3S06505H
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:DIODE SIL CARB 650V 15.4A TO220F
  • 株式:41305
GP1M018A020HG Image
  • モデル:GP1M018A020HG
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:MOSFET N-CH 200V 18A TO220
  • 株式:129782
  • モデル:G3S06503H
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
  • 株式:39781
GSXF030A040S1-D3 Image
  • モデル:GSXF030A040S1-D3
  • メーカー:SemiQ
  • 説明:DIODE FAST REC 400V 30A SOT227
  • 株式:3834
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