STP10P6F6
| 工場モデル | STP10P6F6 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 60V 10A TO220 |
| パッケージ | TO-220 |
| 株式 | 171267 pcs |
| データシート | STx10P6F6Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019Mult Dev Site Closure 13/Feb/2020Traceability 06/Mar/2017STF STP 11-Nov-2022 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.458 | $0.411 | $0.32 | $0.264 | $0.209 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 |
| シリーズ | DeepGATE™, STripFET™ VI |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 160mOhm @ 5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 30W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 340 pF @ 48 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.4 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Tc) |
| 基本製品番号 | STP10 |
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