STP10LN80K5
| 工場モデル | STP10LN80K5 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 800V 8A TO220 |
| パッケージ | TO-220 |
| 株式 | 52250 pcs |
| データシート | STP10LN80K5 DatasheetSpice Model Tutorial for Power MOSFETSMult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019Mult Dev Plating Process 13/Dec/2018 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| $1.359 | $1.22 | $1 | $0.851 | $0.718 | $0.682 | $0.656 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。52250のSTMicroelectronics STP10LN80K5の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 100µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 |
| シリーズ | MDmesh™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 630mOhm @ 4A, 10V |
| 電力消費（最大） | 110W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 427 pF @ 100 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 800 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Tc) |
| 基本製品番号 | STP10 |
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