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STP100N10F7 Image
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STP100N10F7

工場モデル STP100N10F7
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N CH 100V 80A TO-220
パッケージ TO-220
株式 70898 pcs
データシート Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019New Molding Compound 13/Sep/2019STx100N10F7 DataSheet
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.078 $0.969 $0.779 $0.64 $0.53 $0.494 $0.475
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。70898のSTMicroelectronics STP100N10F7の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
シリーズ DeepGATE™, STripFET™ VII
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 8mOhm @ 40A, 10V
電力消費（最大） 150W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4369 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 61 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 80A (Tc)
基本製品番号 STP100

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