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STP11NM65N Image
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STP11NM65N

工場モデル STP11NM65N
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
パッケージ TO-220
株式 67626 pcs
データシート Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019Mult Dev Plating Process 13/Dec/2018STx(x)11NM65N
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100
$0.88 $0.792 $0.636
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。67626のSTMicroelectronics STP11NM65Nの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
シリーズ MDmesh™ II
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 455mOhm @ 5.5A, 10V
電力消費（最大） 110W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 800 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 29 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 650 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 11A (Tc)
基本製品番号 STP11N

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データシート

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