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Nexperia USA Inc.

PHKD3NQ10T,518

工場モデル PHKD3NQ10T,518
メーカー Nexperia USA Inc.
詳細な説明 MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
パッケージ 8-SO
株式 4050 pcs
データシート PHKD3NQ10TLabel Chg 12/Mar/2017Mult Devices EOL 30/Jun/2018Mult Devices EOL 12/Jul/2018All Dev Label Chgs 2/Aug/2020
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNexperia USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。4050のNexperia USA Inc. PHKD3NQ10T,518の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 1mA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
シリーズ TrenchMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 90mOhm @ 1.5A, 10V
電力 - 最大 2W
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 633pF @ 20V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 21nC @ 10V
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧(VDSS)にドレイン 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3A
コンフィギュレーション 2 N-Channel (Dual)
基本製品番号 PHKD3

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PHKD3NQ10T,518 データテーブルPDF

データシート