PHK4NQ20T,518
工場モデル | PHK4NQ20T,518 |
---|---|
メーカー | NXP Semiconductors / Freescale |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1 |
パッケージ | 8-SO |
株式 | 4811 pcs |
データシート | PHK4NQ20T |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
シリーズ | TrenchMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 130 mOhm @ 4A, 10V |
電力消費(最大) | 6.25W (Tc) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
他の名前 | 934057303518 PHK4NQ20T /T3 PHK4NQ20T /T3-ND |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 2 (1 Year) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1230pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 26nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200V |
詳細な説明 | N-Channel 200V 4A (Tc) 6.25W (Tc) Surface Mount 8-SO |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4A (Tc) |
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