PHK18NQ03LT,518
| 工場モデル | PHK18NQ03LT,518 |
|---|---|
| メーカー | Nexperia USA Inc. |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 20.3A 8SO |
| パッケージ | 8-SO |
| 株式 | 6583 pcs |
| データシート | PHK18NQ03LTLabel Chg 12/Mar/20172017 Year-End EOL 8/Jan/2018All Dev Label Chgs 2/Aug/2020 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.15V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
| シリーズ | TrenchMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.9mOhm @ 25A, 10V |
| 電力消費（最大） | 6.25W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1380 pF @ 12 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10.6 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20.3A (Tc) |
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