PHK12NQ03LT,518
| 工場モデル | PHK12NQ03LT,518 |
|---|---|
| メーカー | Nexperia USA Inc. |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 11.8A 8SO |
| パッケージ | 8-SO |
| 株式 | 4253 pcs |
| データシート | PHK12NQ03LTLabel Chg 12/Mar/2017Mult Devices EOL 30/Jun/2018Mult Devices EOL 12/Jul/2018All Dev Label Chgs 2/Aug/2020 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
| シリーズ | TrenchMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10.5mOhm @ 12A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1335 pF @ 16 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17.6 nC @ 5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11.8A (Tj) |
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