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PHD38N02LT,118 Image
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PHD38N02LT,118

工場モデル PHD38N02LT,118
メーカー Nexperia USA Inc.
詳細な説明 MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK
パッケージ DPAK
株式 6201 pcs
データシート PHD38N02LTLabel Chg 12/Mar/2017Mult Dev 31/Dec/2019All Dev Label Chgs 2/Aug/2020
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNexperia USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。6201のNexperia USA Inc. PHD38N02LT,118の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ DPAK
シリーズ TrenchMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 16mOhm @ 25A, 5V
電力消費（最大） 57.6W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 800 pF @ 20 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 15.1 nC @ 5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 44.7A (Tc)
基本製品番号 PHD38N02

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