PHD21N06LT,118
| 工場モデル | PHD21N06LT,118 |
|---|---|
| メーカー | NXP Semiconductors / Freescale |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 55V 19A DPAK |
| パッケージ | DPAK |
| 株式 | 4496 pcs |
| データシート | PHB,PHD,PHP21N06LT |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±15V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK |
| シリーズ | TrenchMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 70 mOhm @ 10A, 10V |
| 電力消費（最大） | 56W (Tc) |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 他の名前 | 934055349118 PHD21N06LT /T3 PHD21N06LT /T3-ND |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 650pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9.4nC @ 5V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55V |
| 詳細な説明 | N-Channel 55V 19A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount DPAK |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 19A (Tc) |
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