PHD36N03LT,118
| 工場モデル | PHD36N03LT,118 |
|---|---|
| メーカー | NXP USA Inc. |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 43.4A DPAK |
| パッケージ | DPAK |
| 株式 | 5088 pcs |
| データシート | PHD,PHP36N03LTMultiple Devices 04/Jul/2011All Dev Label Update 15/Dec/2020NXP USA Inc REACHNXP USA Inc RoHS Cert |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK |
| シリーズ | TrenchMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 17mOhm @ 25A, 10V |
| 電力消費（最大） | 57.6W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 690 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 18.5 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 43.4A (Tc) |
| 基本製品番号 | PHD36 |
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