PHD3055E,118
| 工場モデル | PHD3055E,118 |
|---|---|
| メーカー | NXP USA Inc. |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK |
| パッケージ | DPAK |
| 株式 | 5310 pcs |
| データシート | All Dev Label Update 15/Dec/2020NXP USA Inc REACHNXP USA Inc RoHS Cert |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNXP USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。5310のNXP USA Inc. PHD3055E,118の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK |
| シリーズ | TrenchMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 150mOhm @ 5.5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 33W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 250 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5.8 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10.3A (Tc) |
| 基本製品番号 | PHD30 |
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