MSRT20060D
| 工場モデル | MSRT20060D |
|---|---|
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 詳細な説明 | 600V 200A THREE TOWER SILICON RE |
| パッケージ | Three Tower |
| 株式 | 1085 pcs |
| データシート | MSRT20060(A)D thru MSRT200100(A)D |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 80 |
|---|
| $42.636 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGeneSiC Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。1085のGeneSiC Semiconductor MSRT20060Dの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.2 V @ 200 A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 600 V |
| 技術 | Standard |
| サプライヤデバイスパッケージ | Three Tower |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| シリーズ | - |
| パッケージ/ケース | Three Tower |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ | Bulk |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C |
| 装着タイプ | Chassis Mount |
| ダイオード構成 | 1 Pair Series Connection |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 600 V |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 200A |
| 基本製品番号 | MSRT200 |
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