MSRTA200120(A)D
工場モデル | MSRTA200120(A)D |
---|---|
メーカー | GeneSiC Semiconductor |
詳細な説明 | DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER |
パッケージ | Three Tower |
株式 | 2096 pcs |
データシート | MSRTA200120(A)D thru MSRTA200160(A)D |
提案された価格 (米ドルでの測定)
18 |
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$21.386 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGeneSiC Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。2096のGeneSiC Semiconductor MSRTA200120(A)Dの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.1V @ 200A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 1200V |
サプライヤデバイスパッケージ | Three Tower |
速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | - |
パッケージング | Bulk |
パッケージ/ケース | Three Tower |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C |
装着タイプ | Chassis Mount |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 10 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
ダイオードタイプ | Standard |
ダイオード構成 | 1 Pair Series Connection |
詳細な説明 | Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 1200V 200A Chassis Mount Three Tower |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10µA @ 1200V |
電流 - 平均整流(イオ)(ダイオード当たり) | 200A |
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