MSRT200100A
工場モデル | MSRT200100A |
---|---|
メーカー | GeneSiC Semiconductor |
詳細な説明 | DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER |
パッケージ | Three Tower |
株式 | 2268 pcs |
データシート | MSRT20060(A)D thru 200100(A)D |
提案された価格 (米ドルでの測定)
25 |
---|
$19.207 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGeneSiC Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。2268のGeneSiC Semiconductor MSRT200100Aの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.2 V @ 200 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 1000 V |
技術 | Standard |
サプライヤデバイスパッケージ | Three Tower |
速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | - |
パッケージ/ケース | Three Tower |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Bulk |
動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 175°C |
装着タイプ | Chassis Mount |
ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 600 V |
電流 - 平均整流(イオ)(ダイオード当たり) | 200A (DC) |
基本製品番号 | MSRT200 |
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