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MSRT20060(A)D Image
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MSRT20060(A)D

工場モデル MSRT20060(A)D
メーカー GeneSiC Semiconductor
詳細な説明 DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
パッケージ Three Tower
株式 2076 pcs
データシート MSRT20060(A)D thru MSRT200100(A)D
提案された価格 （米ドルでの測定）
25
$21.338
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGeneSiC Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。2076のGeneSiC Semiconductor MSRT20060(A)Dの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 1.1V @ 200A
電圧 - 逆（VR）（最大） 600V
サプライヤデバイスパッケージ Three Tower
速度 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
シリーズ -
パッケージング Bulk
パッケージ/ケース Three Tower
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 150°C
装着タイプ Chassis Mount
製品属性 属性値
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 10 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
ダイオードタイプ Standard
ダイオード構成 1 Pair Series Connection
詳細な説明 Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 600V 200A Chassis Mount Three Tower
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 10µA @ 600V
電流 - 平均整流（イオ​​）（ダイオード当たり） 200A

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