FDFME2P823ZT
| 工場モデル | FDFME2P823ZT |
|---|---|
| メーカー | Fairchild Semiconductor |
| 詳細な説明 | 2.6A, 20V, P-CHANNEL MOSFET |
| パッケージ | 6-MicroFET (1.6x1.6) |
| 株式 | 382823 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1025 |
|---|
| $0.105 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのFairchild Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。382823のFairchild Semiconductor FDFME2P823ZTの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-MicroFET (1.6x1.6) |
| シリーズ | PowerTrench® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 142mOhm @ 2.3A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 1.4W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 6-UFDFN Exposed Pad |
| パッケージ | Bulk |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 405 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7.7 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | Schottky Diode (Isolated) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.6A (Ta) |
| 基本製品番号 | FDFME2 |
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