FDFMA2P029Z-F106
工場モデル | FDFMA2P029Z-F106 |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET |
パッケージ | 6-MicroFET (2x2) |
株式 | 228240 pcs |
データシート | onsemi REACHonsemi RoHSMult Dev Assembly Add 12/Nov/2018FDFMA2P029Z |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.406 | $0.363 | $0.283 | $0.234 | $0.185 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-MicroFET (2x2) |
シリーズ | PowerTrench® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 95mOhm @ 3.1A, 4.5V |
電力消費(最大) | 1.4W (Ta) |
パッケージ/ケース | 6-VDFN Exposed Pad |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 720 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | Schottky Diode (Isolated) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.1A (Ta) |
基本製品番号 | FDFMA2 |
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