FDFMA2P029Z
| 工場モデル | FDFMA2P029Z |
|---|---|
| メーカー | Fairchild Semiconductor |
| 詳細な説明 | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI |
| パッケージ | 6-MicroFET (2x2) |
| 株式 | 4835 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±12V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-MicroFET (2x2) |
| シリーズ | PowerTrench® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 95mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 1.4W (Tj) |
| パッケージ/ケース | 6-VDFN Exposed Pad |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 720 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | Schottky Diode (Isolated) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.1A (Ta) |
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