FDFS2P102
工場モデル | FDFS2P102 |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC |
パッケージ | 8-SOIC |
株式 | 5758 pcs |
データシート | FDFS2P102onsemi REACHonsemi RoHS |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5758のonsemi FDFS2P102の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 125mOhm @ 3.3A, 10V |
電力消費(最大) | 900mW (Ta) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 270 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 10 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | Schottky Diode (Isolated) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.3A (Ta) |
基本製品番号 | FDFS2 |
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