1N4006T/R
工場モデル | 1N4006T/R |
---|---|
メーカー | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
詳細な説明 | DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 |
パッケージ | DO-41 |
株式 | 4009424 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
5000 |
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$0.012 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのEIC SEMICONDUCTOR INC.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。4009424のEIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4006T/Rの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
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電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.1 V @ 1 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 800 V |
技術 | Standard |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-41 |
速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | - |
逆回復時間(trrの) | 2 µs |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ/ケース | DO-204AL, DO-41, Axial |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C |
装着タイプ | Through Hole |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 800 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 1A |
Vrと、F @キャパシタンス | 15pF @ 4V, 1MHz |
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