1N4007
工場モデル | 1N4007 |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 |
パッケージ | DO-41 |
株式 | 4786 pcs |
データシート | Status Chg 22/Feb/2017Multiple Devices 19/Jun/2009onsemi RoHS1N4001-4007 Datasheet |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.1 V @ 1 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 1000 V |
技術 | Standard |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-41 |
速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | - |
パッケージ/ケース | DO-204AL, DO-41, Axial |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
装着タイプ | Through Hole |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 1000 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 1A |
Vrと、F @キャパシタンス | 15pF @ 4V, 1MHz |
基本製品番号 | 1N4007 |
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