1N4006L-T
工場モデル | 1N4006L-T |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 |
パッケージ | DO-41 |
株式 | 6361 pcs |
データシート | Diodes Environmental Compliance Cert1N4001-07Discrete Semiconductors 18/Nov/2008 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1 V @ 1 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 800 V |
技術 | Standard |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-41 |
速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | - |
パッケージ/ケース | DO-204AL, DO-41, Axial |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 150°C |
装着タイプ | Through Hole |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 800 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 1A |
Vrと、F @キャパシタンス | 8pF @ 4V, 1MHz |
基本製品番号 | 1N4006 |
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