1N4006G-T
工場モデル | 1N4006G-T |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 |
パッケージ | DO-41 |
株式 | 1638597 pcs |
データシート | 1N4001-4007G,L DatasheetSMA,SMB,SMC Additional Assembly Site 17/Oct/2013Diodes Environmental Compliance Cert |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.142 | $0.106 | $0.06 | $0.04 | $0.03 | $0.026 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのDiodes Incorporatedシリーズの電子コンポーネントを専門としています。1638597のDiodes Incorporated 1N4006G-Tの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
RFQメール:info@Components-House.net
規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1 V @ 1 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 800 V |
技術 | Standard |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-41 |
速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | - |
逆回復時間(trrの) | 2 µs |
パッケージ/ケース | DO-204AL, DO-41, Axial |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C |
装着タイプ | Through Hole |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 800 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 1A |
Vrと、F @キャパシタンス | 8pF @ 4V, 1MHz |
基本製品番号 | 1N4006 |
おすすめ商品
-
1N4006G B0G
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204ALTaiwan Semiconductor Corporation -
1N4006G A0G
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204ALTaiwan Semiconductor Corporation -
1N4006GHR0G
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204ALTSC (Taiwan Semiconductor) -
1N4006GP-E3/73
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204ALVishay General Semiconductor - Diodes Division -
1N4006GA0
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204ALTaiwan Semiconductor Corporation -
1N4006GHB0G
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204ALTaiwan Semiconductor Corporation -
1N4006GP-E3/54
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204ALVishay General Semiconductor - Diodes Division -
1N4006GL-T
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41Diodes Incorporated -
1N4006G R0G
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204ALTSC (Taiwan Semiconductor) -
1N4006G
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41SMC Diode Solutions -
1N4006FFG
DIODE GEN PURP 800V 1A AXIALonsemi -
1N4006G
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204ALTaiwan Semiconductor Corporation -
1N4006G R1G
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204ALTaiwan Semiconductor Corporation -
1N4006GHA0G
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204ALTaiwan Semiconductor Corporation -
1N4006G
DIODE GEN PURP 800V 1A AXIALonsemi -
1N4006GH
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204ALTaiwan Semiconductor Corporation -
1N4006GP
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41onsemi -
1N4006GHR1G
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204ALTaiwan Semiconductor Corporation -
1N4006G BK
DIODE GEN PURPOSE DO41Central Semiconductor Corp -
1N4006FF
DIODE GEN PURP 800V 1A AXIALonsemi