DMT69M9LPDW-13
| 工場モデル | DMT69M9LPDW-13 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506 |
| パッケージ | PowerDI5060-8 (Type UXD) |
| 株式 | 266412 pcs |
| データシート | Diodes Environmental Compliance CertDMT69M9LPDW |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 2500 | 5000 | 12500 | 25000 |
|---|---|---|---|
| $0.171 | $0.162 | $0.156 | $0.152 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerDI5060-8 (Type UXD) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 12.5mOhm @ 20A, 10V |
| 電力 - 最大 | 2.5W (Ta), 40.3W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2212pF @ 30V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 33.5nC @ 10V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Ta), 44A (Tc) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | DMT69 |
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