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Diodes Incorporated

DMT8008LSS-13

工場モデル DMT8008LSS-13
メーカー Diodes Incorporated
詳細な説明 MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8
パッケージ Tape & Reel (TR)
株式 267084 pcs
データシート Diodes Environmental Compliance CertDMT8008LSS
提案された価格 (米ドルでの測定)
2500 5000 12500 25000
$0.153 $0.146 $0.14 $0.137
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのDiodes Incorporatedシリーズの電子コンポーネントを専門としています。267084のDiodes Incorporated DMT8008LSS-13の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2.8V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 8mOhm @ 13A, 10V
電力消費(最大) 1.3W (Ta)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2840 pF @ 40 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 47 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 80 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 13A (Ta), 32A (Tc)
基本製品番号 DMT8008

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DMT8008LSS-13 データテーブルPDF

データシート