DMT64M8LSS-13
工場モデル | DMT64M8LSS-13 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2 |
パッケージ | 8-SO |
株式 | 353362 pcs |
データシート | Diodes Environmental Compliance CertDMT64M8LSS |
提案された価格 (米ドルでの測定)
2500 | 5000 | 12500 | 25000 |
---|---|---|---|
$0.142 | $0.135 | $0.13 | $0.126 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.3V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 5mOhm @ 20A, 10V |
電力消費(最大) | 1.4W (Ta) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2664 pF @ 30 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 47.5 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 13.6A (Ta) |
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