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Diodes Incorporated

DMT64M8LSS-13

工場モデル DMT64M8LSS-13
メーカー Diodes Incorporated
詳細な説明 MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
パッケージ 8-SO
株式 353362 pcs
データシート Diodes Environmental Compliance CertDMT64M8LSS
提案された価格 (米ドルでの測定)
2500 5000 12500 25000
$0.142 $0.135 $0.13 $0.126
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのDiodes Incorporatedシリーズの電子コンポーネントを専門としています。353362のDiodes Incorporated DMT64M8LSS-13の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2.3V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 5mOhm @ 20A, 10V
電力消費(最大) 1.4W (Ta)
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2664 pF @ 30 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 47.5 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 13.6A (Ta)

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DMT64M8LSS-13 データテーブルPDF

データシート