DMT67M8LCGQ-7
工場モデル | DMT67M8LCGQ-7 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN |
パッケージ | V-DFN3333-8 (Type B) |
株式 | 213455 pcs |
データシート | Diodes Environmental Compliance CertDMT67M8LCGQ |
提案された価格 (米ドルでの測定)
2000 | 6000 | 10000 |
---|---|---|
$0.167 | $0.159 | $0.153 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | V-DFN3333-8 (Type B) |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 5.7mOhm @ 20A, 10V |
電力消費(最大) | 900mW (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2130 pF @ 30 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 37.5 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 16A (Ta), 64.6A (Tc) |
基本製品番号 | DMT67 |
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