DMT6018LDR-13
工場モデル | DMT6018LDR-13 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030 |
パッケージ | V-DFN3030-8 |
株式 | 287256 pcs |
データシート | DMT6018LDRMult Dev A/T Site 31/Mar/2021Diodes Environmental Compliance Cert |
提案された価格 (米ドルでの測定)
10000 | 30000 |
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$0.122 | $0.117 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | V-DFN3030-8 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 17mOhm @ 8.2A, 10V |
電力 - 最大 | 1.9W |
パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 869pF @ 30V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 13.9nC @ 10V |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8.8A (Ta) |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | DMT6018 |
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