DMT6015LSS-13
| 工場モデル | DMT6015LSS-13 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO |
| パッケージ | 8-SO |
| 株式 | 394478 pcs |
| データシート | Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021Diodes Environmental Compliance CertDMT6015LSS |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.273 | $0.239 | $0.184 | $0.145 | $0.116 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±16V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 16mOhm @ 10A, 10V |
| 電力消費（最大） | 1.5W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1103 pF @ 30 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 18.9 nC @ 30 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.2A (Ta) |
| 基本製品番号 | DMT6015 |
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