DMN61D8LVT-7
工場モデル | DMN61D8LVT-7 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 |
パッケージ | TSOT-26 |
株式 | 592197 pcs |
データシート | DMN61D8L(VT)Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021Diodes Environmental Compliance Cert |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.19 | $0.161 | $0.12 | $0.095 | $0.073 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 1mA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TSOT-26 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.8Ohm @ 150mA, 5V |
電力 - 最大 | 820mW |
パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 12.9pF @ 12V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 0.74nC @ 5V |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 630mA |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | DMN61 |
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