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Diodes Incorporated

DMN61D8LVT-7

工場モデル DMN61D8LVT-7
メーカー Diodes Incorporated
詳細な説明 MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
パッケージ TSOT-26
株式 592197 pcs
データシート DMN61D8L(VT)Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021Diodes Environmental Compliance Cert
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.19 $0.161 $0.12 $0.095 $0.073
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのDiodes Incorporatedシリーズの電子コンポーネントを専門としています。592197のDiodes Incorporated DMN61D8LVT-7の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2V @ 1mA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TSOT-26
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 1.8Ohm @ 150mA, 5V
電力 - 最大 820mW
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 12.9pF @ 12V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 0.74nC @ 5V
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧(VDSS)にドレイン 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 630mA
コンフィギュレーション 2 N-Channel (Dual)
基本製品番号 DMN61

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DMN61D8LVT-7 データテーブルPDF

データシート