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DMN61D9UDW-7

工場モデル DMN61D9UDW-7
メーカー Diodes Incorporated
詳細な説明 MOSFET 2N-CH 60V 0.35A
パッケージ SOT-363
株式 5745 pcs
データシート Mult Dev Assembly Chgs 29/May/2020OBS NOTICE 29/Aug/2022Diodes Environmental Compliance CertDMN61D9UDW
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのDiodes Incorporatedシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5745のDiodes Incorporated DMN61D9UDW-7の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 1V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-363
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 2Ohm @ 50mA, 5V
電力 - 最大 320mW
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 28.5pF @ 30V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 0.4nC @ 4.5V
FET特長 -
ソース電圧(VDSS)にドレイン 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 350mA
コンフィギュレーション 2 N-Channel (Dual)
基本製品番号 DMN61

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DMN61D9UDW-7 データテーブルPDF

データシート