DMN62D0LFD-7
| 工場モデル | DMN62D0LFD-7 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 310MA 3DFN |
| パッケージ | X1-DFN1212-3 |
| 株式 | 1176301 pcs |
| データシート | Diodes Environmental Compliance CertMult Devices EOL 05/Feb/2019Mult Dev Reinstate 5/Feb/2019Mult Dev Alt Wafer Source 26/Apr/2018DMN62D0LFD |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 25 | 100 | 250 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| $0.141 | $0.117 | $0.098 | $0.062 | $0.048 | $0.041 | $0.028 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | X1-DFN1212-3 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2Ohm @ 100mA, 4V |
| 電力消費（最大） | 480mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | 3-UDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 31 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 310mA (Ta) |
| 基本製品番号 | DMN62 |
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