DMN6070SY-13
| 工場モデル | DMN6070SY-13 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3 |
| パッケージ | SOT-89-3 |
| 株式 | 641832 pcs |
| データシート | DMN6070SYMult Dev A/T Site 31/Mar/2021Diodes Environmental Compliance Cert |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.172 | $0.14 | $0.095 | $0.071 | $0.053 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-89-3 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 85mOhm @ 2.5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2.1W (Ta) |
| パッケージ/ケース | TO-243AA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 588 pF @ 30 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12.3 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.1A (Ta) |
| 基本製品番号 | DMN6070 |
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