DMN6066SSS-13
工場モデル | DMN6066SSS-13 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SO |
パッケージ | 8-SO |
株式 | 364517 pcs |
データシート | DMN6066SSSMult Dev A/T Site 31/Mar/2021Diodes Environmental Compliance CertWafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.296 | $0.259 | $0.199 | $0.157 | $0.126 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 66mOhm @ 4.5A, 10V |
電力消費(最大) | 1.56W (Ta) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 502 pF @ 30 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 10.3 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.7A (Ta) |
基本製品番号 | DMN6066 |
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