DMN6070SSDQ-13
工場モデル | DMN6070SSDQ-13 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2 |
パッケージ | 8-SO |
株式 | 690999 pcs |
データシート | Diodes Environmental Compliance CertDMN6070SSDQ |
提案された価格 (米ドルでの測定)
2500 | 5000 | 12500 | 25000 | 62500 |
---|---|---|---|---|
$0.063 | $0.059 | $0.055 | $0.052 | $0.051 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 87mOhm @ 4.5A, 10V |
電力 - 最大 | 1.2W (Ta) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 588pF @ 30V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 12.3nC @ 10V |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.7A (Ta) |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | DMN6070 |
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