DMG1016VQ-7
工場モデル | DMG1016VQ-7 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET N/P-CH 20V SOT563 |
パッケージ | SOT-563 |
株式 | 615411 pcs |
データシート | Diodes Environmental Compliance CertDM CAT 20-Mar-2022DMG/DMN/DMT 02/Mar/2022DMG1016VQ |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.166 | $0.142 | $0.106 | $0.083 | $0.064 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-563 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 400mOhm @ 600mA, 4.5V |
電力 - 最大 | 530mW |
パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 60.67pF @ 16V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 0.74nC @ 4.5V |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 870mA, 640mA |
コンフィギュレーション | N and P-Channel |
基本製品番号 | DMG1016 |
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