DMG1016V-7
| 工場モデル | DMG1016V-7 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET N/P-CH 20V SOT563 |
| パッケージ | SOT-563 |
| 株式 | 788790 pcs |
| データシート | DMG1016VBond Wire 11/Nov/2011Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021Diodes Environmental Compliance Cert |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.168 | $0.126 | $0.079 | $0.054 | $0.041 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-563 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 400mOhm @ 600mA, 4.5V |
| 電力 - 最大 | 530mW |
| パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 60.67pF @ 16V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.74nC @ 4.5V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 870mA, 640mA |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel |
| 基本製品番号 | DMG1016 |
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