DMG1016VQ-13-52
工場モデル | DMG1016VQ-13-52 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R |
パッケージ | SOT-563 |
株式 | 1803784 pcs |
データシート | DMG1016VQ |
提案された価格 (米ドルでの測定)
10000 |
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$0.023 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-563 |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V |
電力 - 最大 | 530mW |
パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
パッケージ | Bulk |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 60.67pF @ 16V, 59.76pF @ 16V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V |
FET特長 | Standard |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 870mA (Ta), 640mA (Ta) |
コンフィギュレーション | N and P-Channel Complementary |
基本製品番号 | DMG1016 |
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