DMG1012T-13
| 工場モデル | DMG1012T-13 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R |
| パッケージ | SOT-523 |
| 株式 | 2923740 pcs |
| データシート | Diodes Environmental Compliance CertMult Dev Assembly Chgs 4/Nov/2020 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 10000 | 30000 | 50000 | 100000 | 250000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.016 | $0.015 | $0.014 | $0.013 | $0.012 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±6V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-523 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 400mOhm @ 600mA, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 280mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | SOT-523 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 60.67 pF @ 16 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.74 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 630mA (Ta) |
| 基本製品番号 | DMG1012 |
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