IRFH5301TRPBF
工場モデル | IRFH5301TRPBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN |
パッケージ | PQFN (5x6) Single Die |
株式 | 215434 pcs |
データシート | Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021Mult Dev Label Chgs Aug/2020Package Drawing Update 19/Aug/2015Mosfet Gen 10.59 Fab Site Add 14/Nov/2017 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.497 | $0.443 | $0.345 | $0.285 | $0.225 | $0.21 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.35V @ 100µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PQFN (5x6) Single Die |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.85mOhm @ 50A, 10V |
電力消費(最大) | 3.6W (Ta), 110W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5114 pF @ 15 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 77 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 35A (Ta), 100A (Tc) |
基本製品番号 | IRFH5301 |
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