IRFH7004TR2PBF
| 工場モデル | IRFH7004TR2PBF |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6 |
| パッケージ | 8-PQFN (5x6) |
| 株式 | 4048 pcs |
| データシート | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013Multiple Devices 13/Nov/2013 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.9V @ 150µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.4mOhm @ 100A, 10V |
| パッケージ/ケース | 8-VQFN Exposed Pad |
| パッケージ | Cut Tape (CT) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6419 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 194 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100A (Tc) |
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