IRFH5110TR2PBF
| 工場モデル | IRFH5110TR2PBF |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN |
| パッケージ | 8-PQFN (5x6) |
| 株式 | 6570 pcs |
| データシート | Part Number GuideMosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013PQFN 5x6 RoHS ComplianceMultiple Devices 13/Nov/2013 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 100µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 12.4mOhm @ 37A, 10V |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| パッケージ | Cut Tape (CT) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3152 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Ta), 63A (Tc) |
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