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Infineon Technologies

IRFH6200TRPBF

工場モデル IRFH6200TRPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
パッケージ 8-PQFN (5x6)
株式 116050 pcs
データシート Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021Mult Dev Label Chgs Aug/2020PQFN 5x6 RoHS CompliancePackage Drawing Update 19/Aug/2015Assembly Site Revision 03/Feb/2015
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000
$0.858 $0.771 $0.62 $0.509 $0.422 $0.393
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。116050のInfineon Technologies IRFH6200TRPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1.1V @ 150µA
Vgs（最大） ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-PQFN (5x6)
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 0.95mOhm @ 50A, 10V
電力消費（最大） 3.6W (Ta), 156W (Tc)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 10890 pF @ 10 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 230 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 2.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 49A (Ta), 100A (Tc)
基本製品番号 IRFH6200

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データシート

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