IPI100N06S3L04XK
| 工場モデル | IPI100N06S3L04XK |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3 |
| パッケージ | PG-TO262-3 |
| 株式 | 96433 pcs |
| データシート | IPB/IPI/IPP100N06S3L-04Part Number Guide |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 |
|---|---|
| $0.449 | $0.384 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 150µA |
| Vgs（最大） | ±16V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO262-3 |
| シリーズ | OptiMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.8mOhm @ 80A, 10V |
| 電力消費（最大） | 214W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 17270 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 362 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100A (Tc) |
| 基本製品番号 | IPI100N |
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